Micron резко увеличивает срок службы флэш-памяти // 02 Января 2013

Компания Micron заявила об успешном создании новой технологии изготовления флэш-памяти типа NAND с одноуровневыми ячейками.

Новая технология SLC (Single-Level-Cell – одноуровневая ячейка), по словам Micron, позволит увеличить срок службы каждой ячейки до 1 миллиона циклов записи.

На данный момент флэш-память типа NAND (построенная по логической схеме НЕ-И) страдает серьезными недостатками, которые мешают массовому использованию такого типа памяти в критически важных приложениях. В частности, каждая ячейка такой памяти при существующих технологиях имеет довольно малую наработку на отказ. После определенного числа циклов записи ячейка перестает поддерживать запись – все записанные данные остаются доступными, но записать на их место больше ничего не удастся.

Новую технологию изготовления флэш-памяти компания Micron разработала совместно с компанией Sun Microsystems. Как заверяют производители, показатель в 1 миллион циклов записи на каждую ячейку – это мировой рекорд. Вообще говоря, устройства с такими характеристиками уже существуют, но доступны только военным и стоят недопустимо дорого для массового потребителя. Технологический прорыв Micron может означать только одно – скоро долговечные и быстрые накопители на основе флэш-памяти станут гораздо доступнее, хотя изначально приобретать их будут только крупные промышленные заказчики.

Кроме долговечности, новая флэш-память от Micron отличается и повышенной емкостью. В частности, Micron заявляет о создании «промышленных» микросхем емкостью до 32 Гбайт. Массовое производство флэш-памяти нового типа планируется начать в первом квартале 2009 г. Также в следующем году компания Micron планирует выпустить «промышленные» версии памяти на ячейках SLC и MLC (Multi-Level Cell – многоуровневая ячейка) на своих новых линиях с технологической нормой 34 нм, сообщает tgdaily.com.